1. Vad är kiselkarbid?
Kiselkarbid (SiC) är en förening som består av kol och kisel, vanligtvis i form av svarta eller gröna kristaller. Det är ett mycket hårt material med hög smältpunkt, utmärkt värmeledningsförmåga och kemisk beständighet, så det används ofta i slipning, skärning, elektroniska enheter och högtemperaturutrustning.
2. Vilka är de huvudsakliga användningsområdena för kiselkarbid?
Slipande material: används för att tillverka slipskivor, sandpapper, slipmedel, etc.
Halvledarmaterial: används för att tillverka elektroniska enheter med hög temperatur, hög frekvens och hög effekt som dioder, MOSFET, etc.
Eldfasta material: används i högtemperaturmiljöer som högtemperaturugnar och värmeväxlare.
Mekaniska tätningar: används för att täta komponenter i mekanisk utrustning som pumpar och kompressorer.
Keramiska material: används för att tillverka olika slitstarka och korrosionsbeständiga keramiska produkter.
3. Vilka typer av kiselkarbid finns det?
Svart kiselkarbid: har en högre kolhalt och hög hårdhet, och används främst för slipning av material.
Grön kiselkarbid: har en högre renhet och högre hårdhet och används främst för att skära hårda material.
Reaktionsbunden kiselkarbid (RBSiC): Tillverkad genom reaktionssintringsprocess, den har utmärkta mekaniska egenskaper och korrosionsbeständighet.
Varmpressad sintrad kiselkarbid (HPSiC): Tillverkad genom varmpressad sintringsprocess, den har högre densitet och mekanisk styrka.
4. Vilka är framställningsmetoderna för kiselkarbid?
Traditionell metod: Tillverkad genom att värma upp en blandning av kvartssand och petroleumkoks till hög temperatur i en motståndsugn.
Vapor deposition method (CVD): Avsättning av kiselkarbidfilm på ett substrat med kemisk ångavsättningsteknik.
Sintringsmetod: Inklusive reaktionssintring, varmpressningssintring etc. genom att pressa kiselkarbidpulver i form och sintring vid hög temperatur.
5. Vilka är fördelarna med kiselkarbid inom halvledarområdet?
Hög genombrottsstyrka för elektriskt fält: tillåter tillämpningar med högre spänning.
Hög värmeledningsförmåga: Effektiv värmeavledning, lämplig för högeffektsenheter.
Hög elektronrörlighet: Förbättrar enhetens växlingshastighet.
Brett bandgap: Kan fortfarande upprätthålla utmärkt elektronisk prestanda vid höga temperaturer.
